特許

J-GLOBAL ID：200903088111905614

エピタキシャルウェーハの製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 小林 秀徳
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-119230
公開番号（公開出願番号）：特開2004-323900
出願日： 2003年04月24日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】本発明は、安定したエピタキシャル成長層を有するエピタキシャルウェーハの製造装置およびその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】サセプタより原料ガス流れの上流側にある石英部品の一部を高温に加熱できる部品、特に誘導加熱により高温となる部品とすることによりクリーニングプロセス中に反応生成物が除去されるため反応生成物の堆積が抑制される。また、石英部品上に反応生成物が堆積する部分をクリーニングプロセス中にのみ加熱する補助加熱装置を備えることによりクリーニング効果を上げて反応生成物の堆積を抑制させることにより解決できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

誘導加熱方式でサセプタを加熱する層流式エピタキシャルウェーハ製造装置において、サセプタの上流側に高周波を吸収する導電性材料からなる部材を設置したことを特徴とするエピタキシャルウェーハ製造装置。

IPC (2件)：

C23C16/44 ,  H01L21/205

FI (2件)：

C23C16/44 J ,  H01L21/205

Fターム (20件)：

4K030AA06 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA22 ,  4K030KA24 ,  4K030KA47 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC03 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB15 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EK03