特許

J-GLOBAL ID：200903088116263920

半導体レーザーモジュール及びその製造方法

発明者： 久野 文雄 ,  西池 氏裕 ,  木谷 文一 ,  東松 剛 ,  今井 彰男 ,  川窪 鐘治
出願人/特許権者： 株式会社エコ・トゥエンティーワン ,  吉野電化工業株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332742
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133632
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 小型で、冷却能力があり、耐久性に富む半導体レーザーモジュールを提供する。【解決手段】 半導体レーザー素子1とそれを冷却するペルチェ素子8を有するペルチェモジュールがパッケージ11に収納された半導体レーザーモジュールにおいて、前記パッケージ11の内面上に電気絶縁層22、ITO層23、ペルチェ素子用電極層24を順次積層形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザー素子とそれを冷却するペルチェ素子を有するペルチェモジュールがパッケージに収納された半導体レーザーモジュールにおいて、前記パッケージの内面上に電気絶縁層、ITO層、ペルチェ素子用電極層を順次積層形成したことを特徴とする半導体レーザーモジュール。

IPC (6件)：

H01S 5/024 ,  H01L 23/38 ,  H01L 23/40 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/34

FI (6件)：

H01S 5/024 ,  H01L 23/38 ,  H01L 23/40 F ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/34

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F036BC06 ,  5F073FA25 ,  5F073FA30