特許

J-GLOBAL ID：200903088122667600

半導体集積回路装置、ICカードおよび検査装置

発明者： 吉本 哲朗 ,  田中 崇之 ,  水嶋 美紀
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-312881
公開番号（公開出願番号）：特開2008-071490
出願日： 2007年12月03日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】不揮発性半導体メモリの診断を高速に行う。【解決手段】メモリセルアレイ61の各行X1-X16から1つの読み出し単位のデータを読み出しエラーの有無を調べる(A)。エラーが検出されたデータに対応する行X16についてはすべての読み出し単位のデータを読み出す(B)。これにより、不揮発性半導体メモリ60の診断に要する時間を短くすることができる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体メモリと、 前記不揮発性半導体メモリを診断する検査回路とを備え、 前記不揮発性半導体メモリは、 行および列に複数の読み出し単位に分割されたメモリセルアレイと、 前記複数の読み出し単位の各々に書き込むべきデータのエラー訂正符号化を行い、前記複数の読み出し単位の各々から読み出されたデータのエラー検出およびエラー訂正を行うエラー訂正回路とを含み、 前記検査回路は、 前記メモリセルアレイの各行から一の読み出し単位のデータを読み出すように指示する第1の指示を前記不揮発性半導体メモリに与え、 前記第1の指示に従って読み出されたデータのエラーが前記エラー訂正回路によって検出されると、当該エラーが検出されたデータに対応する行のすべての読み出し単位のデータを読み出すように指示する第2の指示を前記不揮発性半導体メモリに与える ことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G11C 29/42 ,  G06K 19/07 ,  G11C 29/02

FI (5件)：

G11C29/00 631B ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 J ,  G11C29/00 675C ,  G11C29/00 675L

Fターム (12件)：

5B035BB09 ,  5B035BC08 ,  5B035CA11 ,  5B035CA23 ,  5B035CA33 ,  5L106AA10 ,  5L106BB01 ,  5L106BB12 ,  5L106DD11 ,  5L106EE02 ,  5L106FF01 ,  5L106FF08