半導体素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大前要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237337
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068413
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】転移や欠陥を減少させ、原子の移動を円滑化し、且つ結晶性の向上を図ることにより、電界効果移動度が大きく、動作速度が高速で、さらに、良好なしきい値電圧特性やサブスレッショルド特性を有する半導体素子の製造方法の提供を目的としている。【解決手段】基板上に形成された非晶質シリコン膜13にレーザーを照射することにより多結晶シリコン膜3を形成する工程を有する半導体素子の製造方法において、前記非晶質シリコン膜13の形成時に、1x1019/cm3 以上で1x1021/cm3 以下の酸素原子を含有させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された非晶質半導体膜にレーザーを照射することにより多結晶半導体膜を形成する工程を有する半導体素子の製造方法において、前記非晶質半導体膜の形成時に、1x1019/cm3 以上で1x1021/cm3 以下の酸素原子を含有させることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , C23C 14/34 , C23C 16/48 , H01L 21/203 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/20 , C23C 14/34 A , C23C 16/48 , H01L 21/203 S , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 618 F , H01L 29/78 627 G

Fターム (63件)：

4K029AA09 , 4K029BA35 , 4K029BB08 , 4K029BB10 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029CA10 , 4K029DC02 , 4K029GA01 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA24 , 4K030BA29 , 4K030BA30 , 4K030BB03 , 4K030CA06 , 4K030DA09 , 4K030FA01 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA11 , 5F052EA15 , 5F052HA06 , 5F052JA01 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD16 , 5F103GG03 , 5F103HH04 , 5F103LL13 , 5F103NN06 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP32 , 5F110QQ11

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