特許
J-GLOBAL ID：200903088127284598
歪高電子移動度トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-088129
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284721
出願日： 1997年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 ミスフィットT転位を発生することなく、チャネル層の臨界膜厚を厚くし、2DEG濃度を高めることができる歪HEMTを提供する。【解決手段】 下から、少なくともバッファ層、チャネル層、キャリア供給層およびショットキ層を構成要素として具える順構造型の歪高電子移動度トランジスタにおいて、前記バッファ層とチャネル層との間に応力補償層を具え、前記バッファ層のコンダクションバンド端をECO2とし、前記応力補償層のコンダクションバンド端ECO1を、ECO1>ECO2となるように設定してある。
請求項（抜粋）：
下から、少なくともバッファ層、チャネル層、キャリア供給層およびショットキ層を構成要素として具える順構造型の歪高電子移動度トランジスタにおいて、前記バッファ層とチャネル層との間に応力補償層を具え、前記バッファ層のコンダクションバンド端をECO2とし、前記応力補償層のコンダクションバンド端ECO1を、ECO1>ECO2となるように設定してあることを特徴とする歪高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
