特許
J-GLOBAL ID：200903088128109609
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218595
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211347
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 GaN系の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光領域における発光パターンを点発光から面発光に近づけてその発光強度を向上させること。【構成】高キャリア濃度n+ 層3に対する電極80と、高不純物濃度iH 層52に対する電極70とを有する。電極70、80は、厚さ100 Åの第1のNi層71、厚さ1000Åの第2のNi層72、82、厚さ1500ÅのAl層73、83、厚さ1000ÅのTi層74、84、厚さ2500Åの第3のNi層75、85とで構成。Ni層が2重構造であるのでNi層間に緩和層ができ、Niの剥離を防止できる。Ni層でGaNと接合させた結果、発光時のしきい値電圧を低下させると共に発光輝度が向上した。又、発光パターンを点発光から面発光に近づけることができ、全体の発光強度が向上した。
請求項（抜粋）：
n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るn層と、p型不純物を添加したi型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、少なくとも前記i層に対する電極であって前記i層に接合する層をNiとしたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
引用特許：
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