特許
J-GLOBAL ID：200903088129892382
エピタキシャル成長方法および成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235621
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097159
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明はいわゆる不均等化反応を用いたエピタキシャル成長方法において、製造工程を簡略化して経済的な生産が可能で、かつ大口径のウエハに対しても容易にエピタキシャル成長を行うことが可能な、エピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。【構成】 横型の成膜チャンバ11の第1の領域にソース材料18を配置し、第2の領域に被成長基板19を配置し、第1の領域を加熱してソース材料18を第1の温度に維持し、第2の領域を加熱して被成長基板19を第1の温度よりも所定の温度だけ低い第2の温度に維持し、さらに成膜チャンバ11内に反応ガスを導入してこの反応ガスとソース材料18とを反応させその反応生成物を被成長基板19上に堆積させてエピタキシャル成長膜を形成する。
請求項（抜粋）：
横型の成膜チャンバの第1の領域にソース材料を配置し、前記成膜チャンバの第2の領域に被成長基板を配置し、前記第1の領域を加熱して前記ソース材料を第1の温度に維持し、前記第2の領域を加熱して前記被成長基板を前記第1の温度よりも所定の温度だけ低い第2の温度に維持し、さらに前記成膜チャンバ内に反応ガスを導入してこの反応ガスと前記ソース材料とを反応させその反応生成物を前記被成長基板上に堆積させてエピタキシャル成長膜を形成することを特徴とするエピタキシャル成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/46
, C30B 25/10
, C30B 25/14
