電流検出機能付電界効果トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大菅義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269908
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120495
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、高精度な電流検出が可能な電流検出機能付電界効果トランジスタを実現することである。【構成】本発明の電流検出機能付MOS型電界効果トランジスタ1は、主電流を流すメイントランジスタ部2と、該メイントランジスタ部2に流れる電流を検出するセンストランジスタ部3とを備え、該2つのトランジスタ部2,3においてMOS型FETセルのドレインを共通にし、かつゲート及びソースを各々独立に設けている。したがって、前記2つのトランジスタ部2,3の各MOS型FETセルのゲート・ソース間の電位差が常に等しくなるように前記2つのトランジスタ部2,3の各MOS型FETセルのゲート電圧を制御することができ、センストランジスタ部3を流れる電流Id を測定することにより、主電流ID 及び負荷に流れる電流Iを高精度に検出できる。

請求項（抜粋）：

主電流を流すメイントランジスタ部と該メイントランジスタ部に流れる電流を検出するセンストランジスタ部とを備え、該2つのトランジスタ部内の各電界効果トランジスタセルのドレイン(又はソース)が共通であって、かつゲート及びソース(又はドレイン)が各々独立に設けられていることを特徴とする電流検出機能付電界効果トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 T , H01L 29/78 321 T

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-270274
特開平3-238869
特開平4-361571

全件表示

前のページに戻る