特許

J-GLOBAL ID：200903088136980173

化合物半導体装置

発明者： 高橋 剛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-332011
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141516
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体装置に関し、pn接合を用いたレベル・シフト・ダイオードの信頼性を向上できるように、また、そのレベル・シフト・ダイオードをHEMTなどの電界効果型トランジスタの製造工程も含めた一連の工程で作製できるようにする。【解決手段】 電界効果型トランジスタを構成するチャネル層3、キャリヤ供給層4、エッチング・ストッパ層5、キャップ層6からなる半導体層のキャップ層6上に積層されてpnヘテロ接合を含むダイオードを構成するp型層8、n型層9、キャップ層10を備え、pnヘテロ接合を生成する為の半導体層のうち表面側に在って空乏化しているn-InP層9が基板側に在るp-InGaAs層8を覆って形成されている。

請求項（抜粋）：

電界効果型トランジスタを構成する半導体層上に積層されてpnヘテロ接合を含むダイオードを構成する半導体層を備え、該pnヘテロ接合を生成する為に積層された半導体層のうち表面側に在って空乏化している一導電型半導体層が基板側に在る反対導電型半導体層を覆って形成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/329

FI (6件)：

H01L 29/91 H ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 A ,  H01L 29/91 C

Fターム (20件)：

5F102FA05 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15