特許

J-GLOBAL ID：200903088137588137

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者： 小島 章弘 ,  大岩 徳久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076354
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269196
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】プラズマ密度とイオンのエネルギーを独立に制御する。【解決手段】真空容器1内に対向配置された上部電極2及び下部電極3と、下部電極3に、27.12MHzの周波数の電力を印加する第1高周波電源4と、3.1MHzの周波数の電力を印加する第2高周波電源5と、上部電極2と下部電極3間に磁場を形成するダイポールリング9から構成される。

請求項（抜粋）：

処理室内に対向配置された上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加して得られるプラズマにより前記下部電極上に載置される被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、プラズマ密度が周波数に比例する領域での周波数と、プラズマ密度が周波数の2乗に比例する領域での周波数とを有する電力を前記下部電極に印加して前記被処理体の表面と実質的に直交する電界Eを形成してプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 M

Fターム (21件)：

4K057DD01 ,  4K057DD08 ,  4K057DG15 ,  4K057DM02 ,  4K057DM17 ,  4K057DM18 ,  4K057DM24 ,  4K057DM28 ,  5F004BA08 ,  5F004BB07 ,  5F004BB08 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB29 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004EB01