特許

J-GLOBAL ID：200903088156386600

半導体装置及びその製造方法

発明者： 堤 聡明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-135900
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349950
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 熱処理を伴う工程における層間絶縁膜における穴の側面である露出面からの脱ガスを防止する。【構成】 半導体基板1上に形成された第一の配線層2と第二の配線層7との間に介在する第二の層間絶縁膜4に形成されるビア・ホール5の内壁を含む露出面を窒化膜13で覆う。第一の配線層3と第二の配線層7を電気的に接続する導電層6を選択CVD成長法による導電物質の埋め込みによって形成する際に、窒化膜13が第二の層間絶縁膜4からの脱ガスによる導電物質の成長不良を防止することになる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第一の層間絶縁膜、この第一の層間絶縁膜上に形成された配線層、この配線層上及び上記第一の層間絶縁膜上に形成され、表面から上記の配線層の表面に達する穴を有した第二の層間絶縁膜、この第二の層間絶縁膜の少なくとも上記穴の側面を含む露出面に形成された窒化膜、上記第二の層間絶縁膜の上記穴の内部に埋め込まれた導電物質からなる導電層を備えた半導体装置。