特許

J-GLOBAL ID：200903088168390513

プラズマ装置およびこれを用いたドライエツチング方法

発明者： 辰巳 哲也 ,  門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-322305
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136092
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 堆積性物質を側壁保護に用いるドライエッチングと、該堆積性物質の除去とを、装置をマルチ・チャンバ化せずに連続プロセスとして行う。【構成】 有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ・ステージ9に冷却配管10を内蔵させ、裏面からは着脱式の板状発熱体17を押さえ板12により圧接する。冷却配管10への冷媒の供給と板状発熱体17への通電を切り換えることにより、マイナス数十°C〜百数十°Cの広い温度範囲でウェハ8の温度を制御できる。ウェハ温度は光ファイバ16を利用した蛍光ファイバ温度計によりモニタする。上記装置は、たとえばS2 F2 等のガスを用い、S(イオウ)を堆積させて異方性加工を行うプロセスに適用でき、スループット,経済性,信頼性を向上できる。

請求項（抜粋）：

プラズマ中に設置される基板載置電極を有し、この基板載置電極上に載置される基板に対して所定の処理を施すプラズマ装置において、前記基板載置電極は、前記基板を冷却するための冷却手段と、この基板載置電極に対し着脱自在であって前記基板を加熱するための加熱手段と、前記基板の温度をモニタするための温度モニタ手段とを備えてなることを特徴とするプラズマ装置。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-170531
  
• 特開平1-268030
  
• 特開平2-121330