特許

J-GLOBAL ID：200903088168913036

高電圧デバイス構造およびその製造方法

発明者： サットウィンダー マルヒ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295181
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254706
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 シリコンを基盤にするパワーデバイスよりも優れた特性を有する高電圧パワーデバイスを得る。【構成】 本高電圧デバイス構造(10)はシリコンを基盤にするパワーデバイスと非シリコンを基盤にするパワーデバイスとのハイブリッドデバイスであって、シリコン基板のみを使用して形成されるデバイスと比較して低いRds(ON)を有し、シリコン基板領域(12)上に形成された制御回路(14)を含んでいる。高電圧回路(16)は非シリコン基板領域(18)中に形成される。接続回路(34)は制御回路(14)を高電圧回路(16)と接続し、シリコン基板のみまたは非シリコン基板のみから形成されるデバイスと比較して、進歩した制御回路特性および進歩した高電圧回路特性を有する高電圧デバイス構造(10)を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板のみを使用して形成されるデバイスと比較して低いドレインソース抵抗Rds(ON)を有する高電圧パワーデバイスであって、シリコン基板領域上に形成されて、前記高電圧パワーデバイスの動作を制御するための低電圧制御デバイスを含む制御回路、非シリコンの基板領域中に形成されて、シリコン基板を基盤にして等価的な構成に作製される高電圧回路のドレインソース抵抗Rds(ON)と比較してより低いドレインソース抵抗Rds(ON)を有し、前記高電圧パワーデバイスからの高電圧を供給するための高電圧ドリフト領域を含む高電圧回路、および前記制御回路を前記高電圧回路と接続して、シリコンを基盤にするパワーデバイスの制御回路動作特性を有し、純粋にシリコンを基盤にするパワーデバイスよりも高い良度指数を有する材料で作製されたパワーデバイスの高電圧回路動作特性を有する高電圧デバイス構造を形成する接続回路、を含む高電圧パワーデバイス。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 656 C