特許

J-GLOBAL ID：200903088172091725

半導体基板及び半導体装置とその製造方法

発明者： 堀内 勝忠
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170137
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021763
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】放熱特性に優れ、動作時の発熱に起因する配線抵抗の増大や信頼性の低下を防ぎ、半導体装置の大電流動作化、高速化、高集積化を可能にする構成の半導体基板及び半導体装置とその製造方法を提供すること。【構成】上記目的は、第1の基板と、該基板の少なくとも主表面を被覆するように設けた第1の薄膜と、該薄膜上に設けた第1の絶縁膜と、該絶縁膜上に設けた単結晶半導体層とから構成される半導体基板において、上記第1の基板の熱伝導率を上記単結晶半導体層の熱伝導率よりも大とした半導体基板とすることによって達成することができた。本発明に基づく半導体装置においては、寄生容量の増加なしに高信頼度の SOI 構造を提供することができ、α線照射による誤動作、ラッチアップ現象と呼ばれる隣接素子間干渉等を完全に防止することができる。

請求項（抜粋）：

第1の基板と、該基板の少なくとも主表面を被覆するように設けた第1の薄膜と、該薄膜上に設けた第1の絶縁膜と、該絶縁膜上に設けた単結晶半導体層とから構成される半導体基板において、上記第1の基板の熱伝導率を上記単結晶半導体層の熱伝導率よりも大としたことを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/76