不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028925
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223752
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置のONO層間絶縁膜の膜厚均一性、及び漏洩電流を劣化させることなく、同膜の形成温度の低温化、及び更なる薄膜化を行うことと同時に、書換え動作によるトンネル絶縁膜の信頼性の低下を抑制する。【解決手段】ONO層間絶縁膜105の一部である下層酸化膜、ないし上層酸化膜を、酸化性雰囲気のプラズマ処理により形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型を有する半導体基板上にトンネル絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極に少なくとも一部が積層する形で層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極と、半導体基板に互いに分離して設けられた第2導電型のソース,ドレイン領域を備えた電気的に書換え可能な不揮発性半導体記憶装置において、前記層間絶縁膜の少なくとも一部に、酸化性のプラズマ雰囲気中で形成された絶縁膜を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/318 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , H01L 21/318 C , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-176172
特開平4-246161
特開平4-176172

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