特許
J-GLOBAL ID：200903088185253279

フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト組成物

発明者：
新井 隆

新井 隆 について

, 
糸数 輝雄

糸数 輝雄 について


出願人/特許権者：
ダイセル化学工業株式会社

ダイセル化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-260612
公開番号（公開出願番号）：特開2009-091395
出願日： 2007年10月04日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
【課題】 レジスト用樹脂等に応用した場合に有機溶媒への溶解性が良好で、基板への密着性が良く、更に高い耐エッチング性を発揮できる樹脂、及びレジスト組成物、ならびに半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 下記式(1)で表されるモノマー単位を有するフォトレジスト用高分子化合物。 更に、前記高分子化合物が、重合温度に制御された溶媒中へモノマー溶液及び重合開始剤溶液を添加しながら重合することを特徴とする前記記載のフォトレジスト用高分子化合物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記式(1)
IPC (3件)：
C08F 20/28 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
C08F20/28 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (34件)：
2H025AA00 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100AL66Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA12R ,  4J100BA13R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC53S ,  4J100BC53T ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM