特許

J-GLOBAL ID：200903088188586058

小型化学反応装置の製造方法

発明者： 小椋 直嗣 ,  河村 義裕 ,  五十嵐 哲
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-088024
公開番号（公開出願番号）：特開2003-284943
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月07日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板(第一基板)の一面に形成された微小な流路内に触媒層が形成された小型化学反応装置の製造に際し、フォトレジストを用いることなく、微小な流路内に触媒層を位置精度良く形成する。【解決手段】 まず、一面に流路22が他面に薄膜ヒータ27がそれぞれ形成された第一基板21の一面に、流入口25および流出口が形成された第二基板24を接合する。次に、流入口25から触媒層形成用溶液31を流路22内に供給する。次に、薄膜ヒータ27の発熱などによる熱処理を行い、触媒を焼成して、流路22の内壁面に触媒層を固定させる。この場合、形成すべき触媒層の流路22に対する位置精度を全く考慮する必要がない。

請求項（抜粋）：

小型の基板の一面に微小な反応炉を形成し、前記基板の一面に蓋板を接合し、前記反応炉内に触媒層形成用溶液を供給して、前記反応炉内に触媒層を形成することを特徴とする小型化学反応装置の製造方法。

IPC (4件)：

B01J 19/00 ,  C01B 3/32 ,  B01J 19/24 ,  H01M 8/06

FI (4件)：

B01J 19/00 K ,  C01B 3/32 A ,  B01J 19/24 A ,  H01M 8/06 A

Fターム (19件)：

4G075AA24 ,  4G075AA42 ,  4G075BD14 ,  4G075CA02 ,  4G075CA54 ,  4G075EE07 ,  4G075EE12 ,  4G075FA12 ,  4G075FB02 ,  4G075FB06 ,  4G075FC07 ,  4G140EA02 ,  4G140EA06 ,  4G140EB23 ,  4G140EB34 ,  4G140EB41 ,  4G140EB48 ,  4G140EC01 ,  5H027BA01