特許
J-GLOBAL ID：200903088189181124
水素吸蔵合金電極およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032056
公開番号（公開出願番号）：特開平9-231965
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 高容量で、サイクル特性に優れた水素吸蔵合金電極を提供することを目的とする。【解決手段】 合金組成において50原子%以下のNiを含む体心立方構造を有する水素吸蔵合金粉末の表面に、メカノケミカル反応などにより、粒径が1μm以下のNi粉末、またはTi-Ni合金粉末をNi量が1〜10重量%の範囲で配置した粉末からなる水素吸蔵合金電極。また、合金組成において50原子%以下のNiを含む体心立方構造を有する水素吸蔵合金粉末を主体とする電極の表面に、NiまたはNi-M合金(MはCo、Sn、Zn、およびMoの少なくとも1種の元素)のメッキ層を厚さ0.5〜1μmの範囲で、かつNi量が前記水素吸蔵合金に対して1〜10重量%の範囲で被覆した水素吸蔵合金電極。
請求項（抜粋）：
合金組成において50原子%以下のNiを含む体心立方構造を有する水素吸蔵合金粉末からなり、前記水素吸蔵合金粉末はその表面に、粒径1μm以下のNi粉末またはTi-Ni合金粉末をNi量が前記水素吸蔵合金の1〜10重量%の範囲で配置していることを特徴とする水素吸蔵合金電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 4/24 J
, H01M 4/26 J
