特許

J-GLOBAL ID：200903088193269818

セラミック基板の製造方法

発明者： 橋本 晃
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-361164
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173240
出願日： 2004年12月14日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】平面方向の寸法精度の良好なセラミック多層基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミック焼結基板1とセラミックグリーンシート3との間に、低融点ガラスを含有する材料を配置することで、焼成後の接着性を向上させ、セラミックグリーンシートの焼成収縮を抑制させたものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導体パターンおよびビア導体を設けた未焼結のセラミックグリーンシートを1枚または複数枚積層し、加熱加圧一体化して作成される積層体と、前記セラミックグリーンシートの焼結温度以上で焼結する材料からなるアルミナグリーンシートを加熱加圧して作成され、前記積層体を拘束する拘束層とを用い、セラミック焼結基板上に設けられた接着層上に前記積層体を配置し、さらにその上に前記拘束層を配置して加熱加圧し、前記積層体と、前記拘束層とを仮接合する工程と、前記仮接合したものを、脱バインダー及び焼成して拘束層を除去する工程により前記積層体とセラミック基板とを一体化接合する方法において、セラミック焼結体との接合面側の前記積層体表面上に転移点が500°C以下の低融点ガラスを含有する導体材料のパターンを形成することに特徴を有するセラミック基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H05K3/46 H ,  H05K3/46 S ,  H01L23/12 D

Fターム (23件)：

5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA14 ,  5E346AA15 ,  5E346AA24 ,  5E346AA32 ,  5E346AA38 ,  5E346AA43 ,  5E346AA60 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346CC39 ,  5E346CC60 ,  5E346DD02 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE28 ,  5E346EE29 ,  5E346GG03 ,  5E346GG04 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• セラミック多層基板の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-357692   出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス