特許
J-GLOBAL ID：200903088194556489
圧電体薄膜素子及びこれを用いたインクジェット式記録ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-313830
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232644
出願日： 1996年11月25日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 優れた耐久性及び信頼性を備えた圧電体素子と、この圧電体素子を備え、優れた解像度及び信頼性を備えたインクジェット式記録ヘッドを提供する。【解決手段】 単結晶シリコン基板101上に形成した二酸化シリコン膜201と、二酸化シリコン膜201上に形成した白金下部電極104と、この上に形成した圧電体膜105と、この上に形成した上部電極106と、を備え、白金下部電極104の膜厚(X)と、二酸化シリコン膜105の膜厚(Y)との関係を、0.5≦X/Y≦4であり、かつ3000Å≦X≦2μmとした。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された二酸化シリコン膜と、当該二酸化シリコン膜上に形成された白金下部電極と、当該白金下部電極上に形成された圧電体膜と、当該圧電体膜上に形成された上部電極と、を備えてなる圧電体薄膜素子であって、前記白金下部電極の膜厚(X)と、前記二酸化シリコン膜の膜厚(Y)との関係が、0.5≦X/Y≦4であり、かつ3000Å≦X≦2μmである圧電体薄膜素子。
IPC (5件)：
H01L 41/09
, B41J 2/045
, B41J 2/055
, C30B 29/32
, H01L 41/187
H01L 41/08 C
, C30B 29/32 Z
, B41J 3/04 103 A
, H01L 41/18 101 D
