特許
J-GLOBAL ID:200903088203680791

半導体イオンセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-363959
公開番号(公開出願番号):特開2000-187016
出願日: 1998年12月22日
公開日(公表日): 2000年07月04日
要約:
【要約】【課題】オン抵抗が小さく高感度で且つ小型化が可能な半導体イオンセンサを提供する。【解決手段】p形シリコン基板1の主表面側に、互いに並列接続される複数の電界効果型トランジスタセル20が形成されている。各電界効果型トランジスタセル20は、MOSFETの構造を有し、p形シリコン基板1の主表面側にドレイン領域2とソース領域3とが離間して形成され、両領域2,3間のチャネル部4上にゲート絶縁膜5を介してゲート電極16が形成されている。各電界効果型トランジスタセル20のゲート電極16同士はゲート電極配線26により接続されている。ゲート電極配線26上に絶縁酸化膜19を介してイオン感応膜6が形成されている。
請求項(抜粋):
互いに並列接続される複数の電界効果型トランジスタセルが形成された基板と、各電界効果型トランジスタセルのゲート電極同士を接続したゲート電極配線と、ゲート電極配線上に絶縁膜を介して形成されたイオン感応膜とを備えることを特徴とする半導体イオンセンサ。
FI (3件):
G01N 27/30 301 V ,  G01N 27/30 301 W ,  G01N 27/30 301 R

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