特許

J-GLOBAL ID：200903088207098701

レジストパターン形成方法およびその装置

発明者： 山口 敦子 ,  田中 稔彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237527
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083947
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチング耐性に優れたレジストをKrFレーザや低加速電子線,軟X線で加工する際には、レジストによる露光ビームの吸収率の高さから、レジスト底部で感光が不足する。このためレジストパターンがテーパー状になったり、パターン倒れが発生したりする。このような、透過率不足に由来するパターン形状劣化を低減する簡便な方法を提供する。【解決手段】パターン露光光源とは別に、レジスト中では吸収されず、下地層で吸収されて熱を発生するビームを全面照射する。

請求項（抜粋）：

電離放射線を光源とする露光によりレジストパターンの潜像を形成した後、露光部ないしは未露光部のレジスト膜のみを除去して所望のパターンを形成するレジストパターン形成方法において、下地層の上にレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜に、電離作用があり所望のパターンを有する第一の放射線を照射する工程と、上記レジスト膜に対しては高い透過率を示し、下地層には吸収されて熱を発生させる第二の放射線をレジスト膜全面に照射する工程と、上記レジスト膜の第一の放射線による露光部ないしは未露光部のみを除去する現像工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/105 503 ,  G03F 7/26

FI (4件)：

H01L 21/30 502 C ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/105 503 ,  G03F 7/26