特許

J-GLOBAL ID：200903088209881403

導電性高分子及びその製造方法,並びに導電性高分子を含有する電気-光変換素子,電気・電子素子,光-電気変換素子及び電気配線板

発明者： 青島 敬之 ,  小橋 昌浩
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-062265
公開番号（公開出願番号）：特開2003-261654
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】 有機溶媒に対する溶解性に優れ、薄膜形成の際の取り扱いが容易で、且つ形成された薄膜が優れた電気・電子物性を示すようにする。【解決手段】 下記一般式(1)で表される構造を有する導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.4以下であり、重量平均分子量(Mw)から求められるチオフェン環の平均繰り返し数(n)が30以上86以下であり、且つ、隣り合うアルキルチオフェン環同士の結合様式の92%以上が立体規則性を示すようにする。...一般式(1)(上記一般式(1)中、Rは、チオフェン環のβ炭素に結合した炭素数4個以上のアルキル基を表し、X及びX’はそれぞれ独立に、H,Cl並びにBrからなる群より選ばれる元素を表し、nは、チオフェン環の繰り返し数を表す。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される構造を有する導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.4以下であり、重量平均分子量(Mw)から求められるチオフェン環の平均繰り返し数(n)が30以上86以下であり、且つ、隣り合うアルキルチオフェン環同士の結合様式の92%以上が下記一般式(2)で表される立体規則性を示すことを特徴とする、導電性高分子。【化1】...一般式(1)(上記一般式(1)中、Rは、チオフェン環のβ炭素に結合した炭素数4個以上のアルキル基を表し、X及びX’はそれぞれ独立に、H,Cl並びにBrからなる群より選ばれる元素を表し、nは、チオフェン環の繰り返し数を表す。)【化2】...一般式(2)(上記一般式(2)中、Rはそれぞれ独立に、炭素数4個以上のアルキル基を表す。)

Fターム (6件)：

4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BB03 ,  4J032BB04 ,  4J032BB09 ,  4J032BC03