半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128858
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321909
出願日： 1997年05月19日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】それぞれ発熱量が異なる半導体素子を同一支持基板上に配置させた半導体装置に係わり、特に、駆動安定性に優れた半導体装置等に関する。【解決手段】支持基板103上に絶縁層102を介して配置された導電性パターンと、該導電性パターンとそれぞれ独立して電気的に接続された複数の半導体素子と、を有する半導体装置であって、複数の半導体素子は少なくとも動作時に発熱量が異なる発熱量が多い第1の半導体素子104と発熱量が少ない第2の半導体素子105であり、且つ第1の半導体素子104は導電性パターンを介して第2の半導体素子105よりも支持基板と熱伝導がよい熱伝導通路を有する半導体装置である。

請求項（抜粋）：

支持基板上に絶縁体層を介して配置された導電性パターンと、該導電性パターンとそれぞれ独立して電気的に接続された2以上の半導体素子と、を有する半導体装置であって、前記半導体素子は少なくとも動作時に発熱量が異なる発熱量が多い第1の半導体素子と該第1の半導体素子よりも発熱量が少ない第2の半導体素子であり、且つ前記第1の半導体素子は導電性パターンを介して第2の半導体素子よりも支持基板と熱伝導がよい熱伝導通路を有することを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 A , H01L 33/00 N

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