特許
J-GLOBAL ID：200903088210967974
信頼性評価シミュレータ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226186
公開番号（公開出願番号）：特開平7-083992
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 ゲート絶縁膜の信頼性評価の過程において、ゲート絶縁膜に印加される電界評価の必要性がなく、かつ、きわめて短時間での評価が可能な信頼性評価手法を提供する。【構成】 予め測定を行った絶縁破壊の電界依存性、ゲート酸化膜厚依存性および温度依存性を基礎として構築された、絶縁破壊時間を与える経験式を具備する信頼性シミュレータに、個々の評価素子が独自に有するパラメータを測定し、シミュレータの経験式に入力することによって絶縁破壊時間を見積もる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられたソース、ドレインとそれらの間に画定されたチャネルと、そのチャネル上にゲート酸化膜を介して設けられたゲート電極を備えたトランジスタの、前記ゲート酸化膜の絶縁破壊による寿命を評価するシミュレータであって、予め実測に基づいて決定され、前記ゲート酸化膜における電界と温度とをパラメータとする正孔量を表す関数を備え、評価したい前記トランジスタの前記各パラメータと、その使用状態における正孔による電流密度又はそれと等価な量を入力することにより、寿命を推定する信頼性評価シミュレータ。
IPC (3件)：
G01R 31/26
, H01L 21/66
, H01L 29/78
