特許
J-GLOBAL ID：200903088222049547

フォトセンサ、及びその製造方法

発明者：
林 正美

林 正美 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 家入 健 ,  岩瀬 康弘 ,  須藤 雄一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-150399
公開番号（公開出願番号）：特開2009-295908
出願日： 2008年06月09日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
【課題】フォトダイオードのリーク電流を抑制することができるフォトセンサを提供すること。【解決手段】本発明に係るフォトセンサは、薄膜トランジスタ52の上層に形成された第1パッシベーション膜41と、ドレイン電極13と、下部電極14とを電気的に接続する、第1パッシベーション膜41に設けられた開口部と、薄膜トランジスタ52、及びフォトダイオード51を被覆する第2パッシベーション膜42と、第2パッシベーション膜42の上層に形成され、当該第2パッシベーション膜42に設けられたコンタクトホールを介して上部電極15と電気的に接続される上層配線23と、コンタクトホールを形成する際に上部電極14が露出しないように、上部電極14より上層に形成された接続膜16と、を備えるものである。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ゲート電極とソース/ドレイン電極が半導体層を介して配置された薄膜トランジスタと、 上部電極と下部電極間に半導体層が挟持されたフォトダイオードと、を備えるフォトセンサであって、 前記薄膜トランジスタの上層に形成された第1パッシベーション膜と、 前記ドレイン電極と前記下部電極とを電気的に接続する、前記第1パッシベーション膜に設けられた開口部と、 前記薄膜トランジスタ、及び前記フォトダイオードを被覆する第2パッシベーション膜と、 前記第2パッシベーション膜の上層に形成され、当該第2パッシベーション膜に設けられたコンタクトホールを介して前記上部電極と電気的に接続される上層配線と、 前記コンタクトホールを形成する際に前記上部電極が露出しないように、前記上部電極より上層に形成された接続膜と、を備えるフォトセンサ。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10
FI (3件)：
H01L27/14 C ,  H01L29/78 612Z ,  H01L31/10 A
Fターム (60件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA32 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  4M118FB27 ,  4M118GB11 ,  4M118GB17 ,  5F049MA04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA01 ,  5F049PA05 ,  5F049PA15 ,  5F049QA02 ,  5F049RA04 ,  5F049RA08 ,  5F049RA10 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ13 ,  5F110AA30 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG45 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 光電変換装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-184159   出願人：キヤノン株式会社
  • 光電変換装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-309801   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置及びそれを用いた電子機器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-142153   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (7件)
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