特許

J-GLOBAL ID：200903088232608838

半導体素子のバンプ形成方法

発明者： モハン キルロスカー ,  堀内 道夫
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-300979
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148330
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子を過度に熱することなくバンプを形成することを可能とし、半導体素子の信頼性を高める。【解決手段】 半導体素子30に形成した電極パッド38の配置と対応する位置にバンプ形成材16を配置したバンプ供給基板20電極パッドにバンプ形成材16を転写してバンプを形成する。バンプ供給基板20としてバンプ形成材16の溶融体との濡れ性が、該溶融体の前記電極パッドに対する濡れ性よりも低い金属層12を設けたものを使用し、前記金属層12の表面にバンプ形成材16を加熱して前記バンプ形成材の溶融体を形成し、バンプ形成材16の溶融体と半導体素子30の電極パッド38とを位置合わせし、溶融体を電極パッドに接触させることにより、バンプ供給基板20から半導体素子30の電極パッドに溶融体を転写して半導体素子30にバンプを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子に形成した電極パッドの配置と対応する位置にバンプ形成材を配置したバンプ供給基板から前記半導体素子の電極パッドに前記バンプ形成材を転写して前記半導体素子にバンプを形成する半導体素子のバンプ形成方法において、前記バンプ形成材の溶融体との濡れ性が、該溶融体の前記電極パッドに対する濡れ性よりも低い金属層を、前記バンプ形成材を配置する部位に設けたバンプ供給基板を使用し、該バンプ供給基板に設けた前記金属層の表面にバンプ形成材を加熱して前記バンプ形成材の溶融体を形成した後、該溶融体と前記半導体素子の電極パッドとを位置合わせし、前記溶融体を前記半導体素子の電極パッドに接触させることにより、前記バンプ供給基板から前記半導体素子の電極パッドに前記溶融体を転写して半導体素子にバンプを形成することを特徴とする半導体素子のバンプ形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/60 311 S