特許
J-GLOBAL ID：200903088242588932
薄膜トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107787
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304171
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】簡単な工程でばらつきの小さい優れた特性を得ることができるTFTを提供することを目的とする。【構成】ガラス基板11上に、Mo-Ta合金によるゲート電極12がパターン形成され、このゲート電極12が形成された基板上はゲート絶縁膜13で覆われ、この上にアンドープの微結晶シリコンからなる活性層14が形成されている。微結晶シリコン活性層14の膜厚は100nm以下とする。微結晶シリコン活性層14のソース,ドレイン領域にはn+ 型非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層15が形成され、この上にソース,ドレイン電極16が形成されている。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、この基板上に形成されたゲート電極と、このゲート電極が形成された基板上にゲート絶縁膜を介して形成された微結晶シリコンからなる活性層と、この活性層上に前記微結晶シリコンよりも低抵抗の非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層を介して形成されたソース,ドレイン電極と、を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 27/12
