特許
J-GLOBAL ID：200903088243722497
相補型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-338340
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186179
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 PチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとで特性をバランスさせ、且つ製造を容易にする。【構成】 Pチャネルトランジスタ及びNチャネルトランジスタの何れのゲート電極の導電型もP型である。Pチャネルトランジスタが表面チャネル型であるので、低い閾値電圧を得ることができて、埋め込みチャネル型と略同等程度の電流駆動能力を得ることが可能である。一方、Nチャネルトランジスタが埋め込みチャネル型であるが、閾値電圧がそれほどには大きくならず、表面チャネル型に比べて電流駆動能力の低下が少ない。しかも、ゲート電極の不純物が相互拡散せず、ゲート電極の不純物濃度の低下による閾値電圧の変動がない。
請求項（抜粋）：
Pチャネルトランジスタ及びNチャネルトランジスタの何れのゲート電極の導電型もP型であることを特徴とする相補型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
