特許

J-GLOBAL ID：200903088244223508

半導体の金属粒子を検出する方法と装置

発明者： ヒッグス、ビクター
出願人/特許権者： エーオーティーアイ オペレーティング カンパニー インコーポレーティッド
代理人 (2件)： 松永 孝義 ,  飯塚 向日子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-506097
公開番号（公開出願番号）：特表2006-522929
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】シリコンなどの半導体材料の電気活性に影響を与える可能性がある欠陥の特性を明らかにすること。【解決手段】シリコンなどの半導体の表面粒子欠陥、特に金属粒子を検出する方法であって、表面粒子近傍の半導体構造表面を適当な光源からの少なくとも1つの高強度の光ビームにさらして、光ルミネッセンス反応を収集して処理すること、粒子の汚染物質が半導体構造中に拡散した結果生じる許容できない汚染レベルを特定するためにその結果を用いることを含む方法。任意で、半導体構造を焼鈍し、汚染物質の拡散速度を特定するために焼鈍前後の光ルミネッセンス反応を収集する。また、同様の装置についても記載されている。

請求項（抜粋）：

シリコンなどの半導体材料の電気活性に影響を与える可能性がある欠陥の特性を明らかにするために、シリコンなどの半導体の表面の粒子欠陥(surface particulate defects)、特に金属粒子を検出する方法であって、 表面粒子近傍の半導体構造表面を適当な光源からの少なくとも1つの高強度の光ビームにさらすこと; 光ビームで半導体構造を励起して発生させた光ルミネッセンスを収集すること; 光ルミネッセンスの反応強度を示す結果(a result representative of the intensity)を出すために収集した光ルミネッセンスを処理すること; 粒子の汚染物質(contamination from particulate)が半導体構造中に拡散した結果生じる許容できない汚染レベルを同定するために、当該結果と所定の許容可能な光ルミネッセンスの仕様の範囲(specification range)とを比較すること; を含むステップからなるシリコンなどの半導体の表面の粒子欠陥(surface particulate defects)を検出する方法。

IPC (1件)：

G01N 21/63

FI (1件)：

G01N21/63 A

Fターム (6件)：

2G043AA01 ,  2G043CA06 ,  2G043CA07 ,  2G043DA01 ,  2G043EA10 ,  2G043LA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• WO98/11425
  
• WO02/29883