特許

J-GLOBAL ID：200903088244652182

薄膜二端子素子、その製造方法及び液晶表示装置

発明者： 青森 繁 ,  中谷 喜紀 ,  田中 淳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028988
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223943
出願日： 1997年02月13日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 上下部電極と非線形抵抗膜との密着性を確保して、素子特性の向上した薄膜二端子素子を得ることを目的としている。【解決手段】 絶縁性基板上に下部電極、非線形抵抗膜及び上部電極がこの順に積層されて構成される薄膜二端子素子において、前記下部電極と上部電極との少なくとも一方が、前記非線形抵抗膜と接する面に密着層を有する薄膜二端子素子。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に下部電極、非線形抵抗膜及び上部電極がこの順に積層されて構成される薄膜二端子素子において、前記下部電極と上部電極との少なくとも一方が、前記非線形抵抗膜と接する面に密着層を有することを特徴とする薄膜二端子素子。

IPC (3件)：

H01L 49/02 ,  G02F 1/136 510 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 49/02 ,  G02F 1/136 510 ,  H01L 27/12 A