特許

J-GLOBAL ID：200903088246176256

真空処理装置

発明者： 三原 智 ,  小林 雅哉 ,  三瀬 辰也 ,  木佐 俊正
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324697
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160072
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、真空処理装置に関し、被処理基板を電極から離脱させる際、スパーク放電を生じ難くすることができ、素子領域のゲート絶縁膜等にダメージを与え難くして歩留りを向上させることができる真空処理装置を提供することを目的とする。【構成】 真空中でプラズマを発生させるか、あるいは真空中で被処理基板を静電吸着させて処理するか、若しくは真空中で該被処理基板を荷電粒子で処理する真空処理装置において、該被処理基板が載置されている真空容器内の圧力を制御する圧力制御手段を設け、該圧力制御手段により該真空容器内の圧力を制御して該被処理基板を離脱させるように構成する。

請求項（抜粋）：

真空中でプラズマを発生させるか、あるいは真空中で被処理基板を静電吸着させて処理するか、若しくは真空中で該被処理基板を荷電粒子で処理する真空処理装置において、該被処理基板が載置されている真空容器内の圧力を制御する圧力制御手段を設け、該圧力制御手段により該真空容器内の圧力を制御して該被処理基板を離脱させることを特徴とする真空処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-079725
  
• 特開平3-048421
  
• 特開昭62-163325
  
• 特開平2-256256