特許

J-GLOBAL ID：200903088246971978

埋め込み型量子井戸半導体レーザ素子

発明者： 粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-348120
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160507
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 信頼性に優れ、且つ高効率動作を行うことのできる量子井戸半導体レーザ素子を提供する。【構成】 Ga<SB>x </SB>In<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(0<x<1、0<y≦1)から成る量子井戸層9と、(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>z </SB>Asとから成る障壁層10とが交互に積層されて成る多重量子井戸活性層11と、多重量子井戸活性層の上下に配置された光閉じ込め層12,13,14とが、InPから成る半導体基板2上に設けられた埋め込み型量子井戸半導体レーザ素子1において、光閉じ込め層がGa<SB>x </SB>In<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(0<x<1、0<y<1)から成ることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Ga<SB>x </SB>In<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(0<x<1、0<y≦1)から成る量子井戸層と、(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>z </SB>As(xy+z=1)から成る障壁層とが交互に積層されて成る量子井戸活性層と、該量子井戸活性層の上下に配置された光閉じ込め層とが、InPから成る半導体基板上に設けられた埋め込み型量子井戸半導体レーザ素子において、前記光閉じ込め層がGa<SB>x </SB>In<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(0<x<1、0<y<1)から成ることを特徴とする埋め込み型量子井戸半導体レーザ素子。