特許
J-GLOBAL ID：200903088248905395
配線回路用セラミック基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-086578
公開番号（公開出願番号）：特開平7-237966
出願日： 1985年05月21日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】タングステンまたはモリブデンの熱膨張係数に近く、低比誘電率で、かつ高強度の配線回路用セラミック基板の製造方法。【構成】平均粒径5μm以下のムライト粉末を70重量%以上、平均粒径2μm以下の二酸化珪素粉末を30重量%以下、平均粒径1μm以下の酸化アルミニウム粉末を15重量%以下、ならびに、アルカリ土類金属酸化物およびアルカリ金属酸化物のうちの少なくとも一方の粉末を合計1重量%以下含んだ混合粉末を成形して成形体を得る工程と、上記成形体を焼成し、焼結体からなるセラミック基板を得る工程と、上記セラミック基板に導体層を形成する工程とをこの順で有する。
請求項（抜粋）：
平均粒径5μm以下のムライト粉末を70重量%以上、平均粒径2μm以下の二酸化珪素粉末を30重量%以下、平均粒径1μm以下の酸化アルミニウム粉末を15重量%以下、ならびに、アルカリ土類金属酸化物およびアルカリ金属酸化物のうちの少なくとも一方の粉末を合計1重量%以下含んだ混合粉末を成形して成形体を得る工程と、上記成形体を焼成し、焼結体からなるセラミック基板を得る工程と、上記セラミック基板に導体層を形成する工程とをこの順で有することを特徴とする配線回路用セラミック基板の製造方法。
IPC (2件)：
C04B 35/18
, H05K 1/03 610
