特許
J-GLOBAL ID：200903088249672254
パターン形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099365
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310420
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の製造工程において、フォトリソグラフィーによって微細パターンを得るパターン形成方法に関し、露光工程によって定まる限界線幅以下のパターンを得ることを目的とする。【構成】 被加工材(13)の上面に第一のマスク材(14)を形成する第一工程と、第一のマスク材(14)の上面に第二のマスク材(15)を形成する第二工程と、第二のマスク材(15)を所定の形状に加工する第三工程と、加工された第二のマスク材(15)をマスクとして、第一のマスク材(14)を第二のマスク材(15)の下に一部回り込む形状に加工する第四工程と、加工された第二のマスク材(15)を除去する第五工程と、加工された第一のマスク材(14)をマスクとして、被加工材(13)を加工する第六工程とを有する。
請求項（抜粋）：
複数のレジスト層を用いたパターン形成方法において、被加工材の上面に第一のマスク材を形成する第一工程と、前記第一のマスク材の上面に第二のマスク材を形成する第二工程と、前記第二のマスク材を所定の形状に加工する第三工程と、加工された第二のマスク材をマスクとして、前記第一のマスク材を第二のマスク材の下に一部回り込む形状に加工する第四工程と、加工された第二のマスク材を除去する第五工程と、加工された第一のマスク材をマスクとして、前記被加工材を加工する第六工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
, H01L 21/302
