特許

J-GLOBAL ID：200903088250334095

薄膜トランジスタ

発明者： 広田 匡紀 ,  浜野 利久
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中村 智廣 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356664
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206166
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 オンオフ比を向上させることができ、しかもゲート逆バイアス時のリーク電流を減少させることが可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【構成】 ソース・ドレイン領域間に絶縁層を介在させてソース・ドレイン領域間を平坦に形成するとともに、この平坦化されたソース・ドレイン領域間の領域上に活性層を形成し、かつ上記ソース・ドレイン領域の上部に低濃度の不純物拡散領域を形成するように構成した。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成されたソース・ドレイン電極と、このソース・ドレイン電極上に積層されたソース・ドレイン領域と、このソース・ドレイン領域上に積層されるポリシリコンからなる活性層と、この活性層上に絶縁膜を介して形成されるゲート電極とを具備する薄膜トランジスタにおいて、上記ソース・ドレイン領域間に絶縁層を介在させてソース・ドレイン領域間を平坦に形成するとともに、この平坦化されたソース・ドレイン領域間の領域上に活性層を形成し、かつ上記ソース・ドレイン領域の上部に低濃度の不純物拡散領域を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-083940
  
• 特開平1-165127
  
• 特開昭62-299082
  
• 特開昭62-216372