特許
J-GLOBAL ID：200903088252594361
はんだバンプ形成方法及び半導体モジュールの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-148968
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340270
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 低コストで、精度良く、信頼性にも優れたはんだバンプを半導体素子上に形成する方法及びそれを用いてフリップチップ実装をした半導体モジュールの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】 バリアメタル18を形成した半導体ウエハ上に感光性ポリイミドを塗布しプリベークし、その後、第1層のパターンを露光し、キュアを行ない第1層のポリイミド層20を形成する。次に、再度感光性ポリイミドを塗布しプリベークし、その後、第2層のパターンを露光し、キュアをして第2層のポリイミド層21を形成する。次にクリームはんだペーストを用いスキージで第1層、第2層の開口部にクリームはんだペースト22を充填し、はんだリフロー炉に通すことにより、はんだが表面張力で凝集し、丸い所望のはんだバンプ23が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体素子のアルミニウム電極表面にはんだバンプを形成する方法であって、電極をメタライズする工程と、その上を前記電極表面よりも大きな面積の開口部を有するマスクで覆う工程と、前記開口部にクリームはんだを充填する工程と、前記マスクを除去後、前記クリームはんだを加熱する工程とを有し、前記クリームはんだが加熱により前記電極表面上に凝集するとともに、前記マスクの厚みよりも高いはんだバンプを形成することを特徴とするはんだバンプの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/92 604 E
, H01L 23/10 B
