特許

J-GLOBAL ID：200903088255661167

窒化膜の製造方法

発明者： 西山 哲 ,  江部 明憲 ,  緒方 潔
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-302921
公開番号（公開出願番号）：特開平7-150337
出願日： 1993年12月02日
公開日（公表日）： 1995年06月13日
要約：

【要約】【構成】 クロム及びホウ素の真空蒸着またはスパッタと窒素イオンの照射とを併用することによって、窒化クロムと窒化ホウ素とからなる膜を基体上に形成するに際し、窒素イオンを0.1〜40KeVの加速エネルギーで前記基体に照射し、膜中に存在する窒素原子、クロム原子及びホウ素原子の個数比を1:1〜40:1〜40とする窒化膜の製造方法。【効果】 照射する窒素イオンとホウ素原子とを衝突させることにより、ホウ素原子を励起化させることができ、c-BNを形成することができる。また、基体と膜との界面に、両者の構成原子よりなる混合層を形成することができる。従って、高温での耐酸性、耐アルカリ性という耐食性全般を向上させることができるとともに、密着性に優れた窒化膜を製造することができる。

請求項（抜粋）：

クロム及びホウ素の真空蒸着またはスパッタと窒素イオンの照射とを併用することによって、窒化クロムと窒化ホウ素とからなる膜を基体上に形成するに際し、窒素イオンを0.1〜40KeVの加速エネルギーで前記基体に照射し、膜中に存在する窒素原子、クロム原子及びホウ素原子の個数比を1:1〜40:1〜40とすることを特徴とする窒化膜の製造方法。