特許

J-GLOBAL ID：200903088256462052

共鳴トンネル・ダイオード

発明者： 安藤 裕二 ,  豊島 秀雄 ,  伊東 朋弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-246924
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302837
出願日： 1986年06月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 負性抵抗を示す閾値電圧が小さく電流の良好なピーク対バレー比をもつ共鳴トンネル・ダイオードを得る。【構成】 半絶縁性GaAs基板89上に、P+ -AlGaAsコンタクト層85、P-AlGaAs層84、ノンドープAlGaAsスペーサ層83、ノンドープAlGaAs障壁層82、ノンドープGaAs量子井戸層81、ノンドープAlGaAs障壁層82’、ノンドープAlGaAsスペーサ層83’、P-AlGaAs層84’、P+ -AlGaAsコンタクト層85’を形成し、電極10,10’を形成する。

請求項（抜粋）：

正孔の基底サブバンドが形成される第1の半導体層を挟んで、該第1の半導体層より電子親和度とバンドギャップの和が大きく正孔がトンネル効果で通過できる厚さを有するノンドープの第2の半導体層が形成され、該第2の半導体層の前記第1の半導体層と反対側に前記第1の半導体層より電子親和度とバンドギャップの和が大きく、また前記第2の半導体層より電子親和度とバンドギャップの和が小さい少なくとも一層のP形層を含む第3の半導体層が形成され、該第3の半導体層のP形層にそれぞれオーム性接触する電極が形成されると共に、前記正孔の基底サブバンドは前記第3の半導体層の価電子帯上端より正孔に対するエネルギーが高くなっていることを特徴とする共鳴トンネル・ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-054665
  
• 特開昭62-217658