特許

J-GLOBAL ID：200903088257480275

薄膜半導体製造装置

発明者： 森田 達夫
出願人/特許権者： 森田 達夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197947
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345350
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 TFT用ガラス基板等の大型絶縁基板上に、エッチングと化学蒸着(CVD)を繰り返しながら結晶軸配向性の高いシリコン薄膜や他の半導体薄膜および誘電体薄膜を形成できる装置を提供すること。【解決手段】 プラズマ発生位置が基板に対して接近、離隔を繰り返すことによってエッチングと成膜を繰り返すことができるリモートプラズマCVD装置であって、高密度プラズマ発生部1と、基板8直上の成膜原料ガス供給部6と、それに隣接する排気口7と、基板支持台9で主要部が構成される。

請求項（抜粋）：

プラズマ形成位置と基板間距離を、成膜過程において自動的に、任意の周期で変化させることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (6件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

C23C 16/50 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 F

Fターム (47件)：

4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA04 ,  4K030GA04 ,  4K030JA03 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD49 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F004CA05 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F045AC01 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045BB01 ,  5F045BB17 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF13 ,  5F045EH02 ,  5F045EH07 ,  5F045EH11 ,  5F045EK07 ,  5F045EM10