特許

J-GLOBAL ID：200903088258995163

薄膜トランジスタアレイ基板

発明者： 南野 裕 ,  今田 龍夫 ,  小関 秀夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323564
公開番号（公開出願番号）：特開平5-158072
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 液晶表示パネルの大型化にかかる上記の問題を解決すべくなされるもので、ゲート電極材料をアルミニウムにした場合に発生する電極表面の凹凸を抑えることのできる薄膜トランジスタアレイ基板を提供する。【構成】 ゲート電極母線3を2層で配線し、先に形成する第1のゲート配線層21をアルミニウムを含む低抵抗層で形成し、次に形成する第2のゲート配線層22により第1のゲート配線層21を完全に被覆することにより、熱プロセス、プラズマプロセスを経過しても凹凸を生じることがないようにする。

請求項（抜粋）：

第1の信号を伝達するソースまたはドレーン電極母線と、このソースまたはドレーン電極母線と交差して配設されて第2の信号を伝達するゲート電極母線と、前記ソースまたはドレーン電極母線と前記ゲート電極母線との交差部に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレーンまたはソースと接続された電極とを備え、前記ゲート電極母線として、アルミニウムを含む第1のゲート配線層と、この第1のゲート配線層を被覆してアルミニウムのヒロックを抑える第2のゲート配線層とが設けられた薄膜トランジスタアレイ基板。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-260631
  
• 特開平2-240636
  
• 特開平3-152807
  
• 特開平4-253092