特許
J-GLOBAL ID：200903088264352363
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-219506
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068039
出願日： 1997年08月14日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 nMOS型降圧回路はMOSトランジスタN2 の出力を帰還していないため、内部電圧Viiを使用するDRAMがスタンバイモードを持続すると内部電圧Viiが上昇する。これによって、DRAMのローレベル判定のマージンが小さくなる。【解決手段】 外部から供給される電圧を降圧して内部電圧とし内部回路に供給する内部降圧回路と、内部回路のスタンバイ時に前記内部電圧の上昇を抑制する上昇抑制手段を有する。このため、内部回路のスタンバイ時には上昇抑制手段により内部電圧の上昇が抑制され、内部電圧はアクティブ時の値を保持する。
請求項（抜粋）：
外部から供給される電圧を降圧して内部電圧とし内部回路に供給する内部降圧回路と、前記内部回路のスタンバイ時に前記内部電圧の上昇を抑制する上昇抑制手段を有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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