半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221679
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088431
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】ハンダのレーザチップ側面へのまわり込みによりレーザチップの電極間がショートすることが無く、レーザチップの位置整合精度の良好な、スタック型の半導体レーザ装置、及びその製造方法を提供する。【構成】スタック型レーザを構成する各レーザチップ1,2,3,4は、その上面の一部に上面電極24、その下面の一部にエッチング溝21、この溝21の内側に下面電極22を備えている。レーザチップ間を接合させるためにハンダ層23を溶融させる際、ハンダ層23はエッチング溝21内に留まる。【効果】レーザチップ側面にハンダがまわり込まないため、レーザチップの両電極は電気的にショートすることが無い。また、溶融ハンダの表面張力がレーザチップに作用するため、レーザチップの位置整合精度が向上する。

請求項（抜粋）：

複数の単位半導体レーザチップを積み重ねてなる半導体レーザ装置において、上記単位半導体レーザチップは、その上面の一部の領域に形成された上面電極と、その下面の一部の領域に形成された下面電極とを備えており、上下に位置する二つの上記単位半導体レーザチップは、上側の単位レーザチップの下面電極と下側の単位レーザチップの上面電極とがハンダを介して接合されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

前のページに戻る