特許

J-GLOBAL ID：200903088271127642

磁気メモリ装置及びその製造方法

発明者： ▲芦▼田 裕 ,  落合 隆夫 ,  指宿 隆弘 ,  梅原 慎二郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-149535
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324172
出願日： 2006年05月30日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】記録層の幅を狭くする場合であっても磁壁の移動を規制する規制領域を所定の間隔で確実に形成しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】所定の間隔で段差15′が形成された線状の記録層22であって、段差が形成された領域が磁壁30の移動を規制する規制領域32となり、規制領域間の領域が記録ビット34となる記録層22を有している。記録層に所定の間隔で段差が形成されており、かかる段差が形成された箇所が磁壁の移動を規制する規制領域となるため、記録層の幅を狭くした場合であっても、磁壁の移動を規制する規制領域を所定の間隔で確実に形成することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定の間隔で段差が形成された線状の記録層であって、前記段差が形成された領域が磁壁の移動を規制する規制領域となり、前記規制領域間の領域が記録ビットとなる記録層を有する ことを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12

Fターム (37件)：

4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119BB20 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119EE04 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ04 ,  4M119JJ15 ,  5F092AA12 ,  5F092AA20 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD26 ,  5F092BB04 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB82 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 複数の接合部を有する安定した磁気トンネル・デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-026291   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-325124   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-383924   出願人：株式会社東芝
• メモリ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-308918   出願人：シャープ株式会社