特許

J-GLOBAL ID：200903088279060970

半導体層及び絶縁層製造法

発明者： コゲルシャッツ、ウルリッヒ
出願人/特許権者： ヘラオイス・ノーブルライト・ゲーエムベーハー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-513704
公開番号（公開出願番号）：特表平8-504539
出願日： 1993年10月25日
公開日（公表日）： 1996年05月14日
要約：

【要約】この発明の目的は、半導体層および絶縁層を容易に作製する方法を提供することにある。この発明は、通常の状態で、珪素、ガリウム、ゲルマニウム、又は砒素を含有した化合物が、0 ゚以下の温度に保持された基板(5)の表面(5S)に堆積される。フィルム(11)には、引き続き所定の波長のUV光が照射される。

請求項（抜粋）：

珪素、ガリウム、ゲルマニウム又は砒素の形態をとる少なくとも1つの成分を有する、通常の条件下ではガス状の化合物(9)を、キャリアガス(8)と共に、0°C以下の温度に保たれた基板(5)の表面(5S)に送ること、及び続いて、前記基板(5)上に堆積された層(11)の全体又は部分に、所定の波長を有する紫外線光子を照射すること、を特徴とする半導体層及び絶縁層製造法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-218020
  
• 特開昭63-228625
  
• 特開平3-211283
  

審査官引用 (3件)

• 特開平3-218020
  
• 特開昭63-228625
  
• 特開平3-211283