特許
J-GLOBAL ID:200903088280336653

レイアウトデータのパラメータ抽出方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-233958
公開番号(公開出願番号):特開平7-094585
出願日: 1993年09月20日
公開日(公表日): 1995年04月07日
要約:
【要約】【目的】レイアウトデータを高精度に評価でき、実際の半導体集積回路の動作特性により近い動作特性を得られる精度の高いレイアウト設計を行う。【構成】レイアウトデータ1は、配置された複数の素子と、各素子の端子間を接続する複数の配線とで構成されている。第1の工程2は、等電位レベルの配線を単体のポリゴンデータとし、その幅及び長さに基づいてポリゴンデータのインピーダンス,静電誘導及び電磁誘導のパラメータを求める。第2の工程3は、各素子を接地に接続するポリゴンデータの長さ方向に対するデータの接地状態に基づいてポリゴンデータのインピーダンスのパラメータを求める。第3の工程4は、複数のポリゴンデータの配置情報に基づいて、ポリゴンデータ間に発生する単体のポリゴンデータの対向部分の長さ方向に対する間隔から静電誘導及び電磁誘導のパラメータを求める。
請求項(抜粋):
半導体集積回路を構成する複数の素子をそれぞれ所定の位置にレイアウトし、各素子の端子間を接続する複数の配線をレイアウトしたレイアウトデータ(1)において、等電位レベルの配線を単体のポリゴンデータとし、単体ポリゴンデータの幅及び長さに基づいて単体ポリゴンデータのインピーダンス,静電誘導及び電磁誘導のパラメータを求める第1の工程(2)と、各素子を接地に接続する単体ポリゴンデータの長さ方向に対する当該データの接地状態に基づいて単体ポリゴンデータのインピーダンスのパラメータを求める第2の工程(3)と、複数のポリゴンデータの配置情報に基づいて、複数のポリゴンデータ間に発生する単体ポリゴンデータの対向部分の長さ方向に対する間隔から静電誘導及び電磁誘導のパラメータを求める第3の工程(4)とを含むことを特徴とするレイアウトデータのパラメータ抽出方法。

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