特許

J-GLOBAL ID：200903088280489484

配線の構造およびその製造方法

発明者： 上野 和良 ,  山田 裕明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-327908
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013339
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 多層配線構造において、配線と接続孔との目合わせマージンを無くし、かつ、配線抵抗の低減と、アスペクト比の大きな接続孔への埋め込みを実現する。【構成】 下層の導電層(n型多結晶シリコン)1上に層間絶縁膜(二酸化シリコン)2を介して、上層のAl合金配線3が形成され、その配線の一部を自己整合的にエッチングし、Wを埋め込んで形成したW接続柱4を介して、上層配線と下層導電層が電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

導電層と、前記導電層上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、前記絶縁膜に選択的に形成されている接続孔を介して前記導電層と電気的に接続された上層配線とから少なくとも構成されている多層配線において、前記上層配線と前記接続孔との位置が自己整合的に形成され、前記接続孔の導電材料と前記上層配線の導電層の材料とが異なることを特徴とする配線の構造。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-257935
  
• 特開昭58-207640
  
• 特開平1-253939