特許

J-GLOBAL ID：200903088285714800

誘電体薄膜、誘電体キャパシタの製造方法、および誘電体メモリ

発明者： 澤田 佳宏 ,  橋本 晃 ,  小岩 一郎 ,  岡田 幸久 ,  金原 隆雄 ,  加藤 博代
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345784
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163273
出願日： 1997年12月01日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 結晶性に優れ、しかも、微細加工にも最適で、膜疲労等も少ない、誘電体薄膜、誘電体キャパシタの製造方法、および誘電体メモリを簡便に提供する。【解決手段】 (I)基板上に設けた下部電極上に、誘電体薄膜形成用塗布液を塗布、乾燥して被膜を形成する誘電体被膜形成工程、(II)誘電体の結晶化温度未満の温度で誘電体被膜を加熱処理する仮焼成工程、(III)上記仮焼成後の誘電体被膜上に仮電極を形成し、熱処理を行い、誘電体被膜を結晶化させる本焼成工程、(IV)仮電極を結晶化した誘電体被膜上から除去する工程により誘電体薄膜を製造し、さらに(V)上記結晶化した誘電体被膜上に上部電極を形成する工程により誘電体キャパシタを製造する。さらに該誘電体キャパシタを用いて誘電体メモリを製造する。

請求項（抜粋）：

(I)基板上に設けた下部電極上に、誘電体薄膜形成用塗布液を塗布、乾燥して被膜を形成する誘電体被膜形成工程、(II)誘電体の結晶化温度未満の温度で誘電体被膜を加熱処理する仮焼成工程、(III)上記仮焼成後の誘電体被膜上に仮電極を形成し、加熱処理を行い、誘電体被膜を結晶化させる本焼成工程、および(IV)仮電極を結晶化した誘電体被膜上から除去する工程、を含む、誘電体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C04B 35/495 ,  H01B 3/00 ,  H01B 19/00 321 ,  H01G 4/33

FI (6件)：

H01L 27/04 C ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/00 H ,  H01B 19/00 321 ,  C04B 35/00 J ,  H01G 4/06 102