特許
J-GLOBAL ID：200903088288440220
半導体結晶基板の平坦化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010517
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206029
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体結晶基板の平坦化方法に関し、原子レベルでの平坦化を行うことを目的とする。【構成】 排気系を備えた反応容器のサセプタ上に半導体結晶基板を設置し、この基板を加熱しながら排気を行うと共に、結晶面上にアイランド状で存在する第1の蒸気圧を有する成分原子と、第1の蒸気圧より低い第2の蒸気圧を有する成分原子とからなる化合物半導体結晶のうち、第1の蒸気圧を有する成分原子を熱解離させて除去した後、この結晶面上にラジカル化したアルキル基、特にメチル基を供給し、第2の蒸気圧を有する成分原子と反応させて第2の蒸気圧を有する成分原子を除去することを特徴として半導体結晶基板の平坦化方法を構成する。
請求項（抜粋）：
排気系を備えた反応容器のサセプタ上に半導体結晶基板を設置し、該基板を加熱しながら排気を行うと共に、結晶面上にアイランド状で存在する第1の蒸気圧を有する成分原子と、該第1の蒸気圧より低い第2の蒸気圧を有する成分原子とからなる化合物半導体結晶のうち、第1の蒸気圧を有する成分原子を熱解離させて除去した後、該結晶面上にラジカル化したアルキル基を供給し、第2の蒸気圧を有する成分原子と反応させて該第2の蒸気圧を有する成分原子を除去することを特徴とする半導体結晶基板の平坦化方法。
引用特許：
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