特許
J-GLOBAL ID：200903088292559984
均質化装置付き治療トモグラフィ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114918
公開番号（公開出願番号）：特開平8-038456
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年02月13日
要約：
【要約】【目的】 主フィールド(磁場)コイル均質化を被検容積に対する軸方向又は横断方向のアクセスを妨害せずに達成し得る冒頭に述べた形式のNMRトモグラフィ装置を提供すること。【構成】 核スピントモグラフィの被検容積中に均質静磁場を生成するため超電導主フィールド(磁場)コイル(10)を有する核スピン共鳴(NMR)ートモグラフィ装置において強磁性均質化素子(20)例えば板の形態の当該素子を有し、該素子は横断方向アクセス開口部の両側に上記室温(度)孔部の表面上の所定位置に取り付けられており、tesseral(縞球関数)のフィールドノイズの少なくとも1つの成分が補償されるようにし、個別に電流の供給を受ける少なくとも4つの超電導性の補正コイル(C1〜C4)を有する。
請求項（抜粋）：
核スピントモグラフィの被検容積中に均質静磁場を生成するため超電導主フィールド(磁場)コイル(10)を有する核スピン共鳴(NMR)ートモグラフィ装置であって、上記被検容積の中心はデカルトX-,Y-,Z-座標系の座標原点と一致しており、また、相互に同じ外側フィールド(磁場)コイル1対(1a,1b)を有し、該コイルは1つの共通の軸線(Z)上にて相互に軸方向間隔(g1)をおいて、配置されており、更に前記外側フィールド(磁場)コイルと同軸の内側コイル1対(2a,2b)を有し、該内側フィールド(磁場)コイルは同様に相互に同じものであり、ここで、両コイル対は共通軸線(Z)に対して垂直に延びる1つの中心平面(E)に対して対称的に配置されており、上記外側コイル(1a、1b)の軸方向間隔(g1)は外側フィールド(磁場)コイル(1a,1b,)の内径の(da2)1/4〜3/4、例えば1/2であり、内側フィールド(磁場)コイル(2a,2b)の間隔(g2)は外側フィールド(磁場)コイル(1a,1b)の軸方向間隔(g1)に比して小であり、ー主フィールド(磁場)コイルの作動中ー内側コイル(2a,2b)における電流方向は外側フィールド(磁場)コイル(1a,1b)におけるそれとは逆に向いており、更に均質磁場方向に延びる軸方向室温(度)孔部と、均質磁場方向に対して横断方向に延びる横断方向アクセス開口部が設けられており、また、静磁場補償のための装置を有する当該トモグラフィ装置において、上記の静磁場補償装置は下記の構成要素を有しており、即ち、--強磁性均質化素子(20)例えば板の形態の当該素子を有し、該素子は横断方向アクセス開口部の両側に上記室温(度)孔部の表面上の所定位置に取り付けられており、ここで、型式Anm、但しn=1〜3例えばn=1ないし6、m=1〜nのtesseral(縞球関数)のフィールドノイズの少なくとも1つの成分が補償されるようにし、--個別に電流の供給を受ける少なくとも4つの超電導性の補正コイル(C1〜C4)を有し、該補正コイルは主フィールドコイル(10)に同軸的に設けられており、各補正コイル(C1〜C4)は少なくとも2つの部分コイル(C1i、C1a〜C4i、C4a)からなり、該部分コイルには作動の際逆向きの電流が流れ、ここで、すべての補正コイルのすべての部分コイルは外側フィールド(磁場)コイル(1a,1b)の内径(da2)より小の直径を有する、共通軸(Z)に対して同軸のシリンダコイルであり、そして、各補正コイル(C1〜C4)にて、それぞれ1つの部分コイルは中心平面(E)に対してできるだけわずかな間隔を有し、該間隔は半径方向で内側のフィールド(磁場)コイル対(2a,2b)の、中心平面からの間隔に等しく、それにより当該部分コイルは軸方向領域g2/2≦|z|≦g2/2+b内にて延在し、各補正コイル(C1〜C4)はそれぞれ逆の電流方向を有する少なくとも1つの第2の部分コイル(C1a〜C4a)を有し該第2部分コイルは中心平面(E)との間隔が半径方向で内側のフィールド(磁場)コイル対(2a,2b)より大であるように構成されていることを特徴とする均質化装置付き治療トモグラフィ装置
IPC (2件)：
FI (2件)：
A61B 5/05 332
, G01N 24/06 520 Y
